我們平常說的芯片是多少納米制造工藝是什么意思？達內廣州arm學習班帶你了解制程工藝。
芯片的制造工藝常常用65nm、40nm、28nm、22/20nm、16/14nm、10nm來表示，比如高通驍龍625，麒麟650，Inte的7代酷睿系列CPU就采用14nm制造工藝，而目前的arm架構處理器驍龍835則采用三星的10nm制造工藝?，F(xiàn)在的CPU內集成了以億為單位的晶體管，由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
XX nm指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。每次制程工藝進步，制程減少至接近于1/√2，晶體管所占得面積將減小約一半；在芯片晶體管集成度相當?shù)那闆r下，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，若在良品率比較高的情況下，成本也會越低。
柵長可以分為光刻柵長和實際柵長，光刻柵長則是由光刻技術所決定的。由于在光刻中光存在衍射現(xiàn)象以及芯片制造中還要經歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導致光刻柵長和實際柵長不一致的情況。另外，同樣的制程工藝下，不同廠商的實際柵長也會不一樣，比如三星推出的14nm制程工藝芯片，但其芯片的實際柵長和Intel的14nm制程芯片的實際柵長依然有一定差距，發(fā)熱和功耗表現(xiàn)僅跟Intel的20nm相近。
由于能降低成本，CPU生產廠商不遺余力地減小晶體管柵極寬度，以提高在單位面積上所集成的晶體管數(shù)量。不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，由于量子效應，容易導致晶體管內部電子自發(fā)通過晶體管通道的硅底板進行的從負極流向正極的運動。而且隨著芯片中晶體管數(shù)量增加，原本僅數(shù)個原子層厚的二氧化硅絕緣層會變得更薄進而導致泄漏更多電子，隨后泄漏的電流又增加了芯片額外的功耗，還會導致芯片良品率下降。所以近幾年的制程工藝進步逐漸放緩，除非有新的半導體替代材料，或是更有效的防止遂穿的手段，否則不會有較大的突破。
現(xiàn)在量子計算機，新材料半導體工藝等還處于概念階段，但我們還是可以展望的不遠的未來，隨著芯片繼續(xù)微型化，低成本化，嵌入式在我們的生活中會越來越普遍。以上是達內廣州arm學習班為大家?guī)淼闹瞥坦に嚵私狻?/span>
